Verfahren zur Herstellung von Dotiertem Halbleitermaterial

WO0217370 Art A1 28. Februar 2002

Anmelder: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0217370
Aktenzeichen: EP01962673
Anmeldetag: 24. August 2001
Veröffentlichung: 28. Februar 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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