Subtraktive Metallisierungsstruktur und Verfahren zu deren Herstellung

WO0219419 Art A2 7. März 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0219419
Aktenzeichen: EP01968261
Anmeldetag: 30. August 2001
Veröffentlichung: 7. März 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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