Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
WO0221587
Art A1
14. März 2002
Anmelder: Hitachi, Ltd., Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0221587
- Aktenzeichen
- EP01941220
- Anmeldetag
- 25. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 14. März 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/312
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi, Ltd.
Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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