Verfahren zur Herstellung von Titannitridschichten (tin) mittels Metallorganischer Chemischer Dampfphasenabscheidung (mocvd)

WO0221593 Art A2 14. März 2002

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0221593
Aktenzeichen: EP01968541
Anmeldetag: 5. September 2001
Veröffentlichung: 14. März 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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