Metal-assisted chemical etch porous silicon formation method
WO0223607
Art A1
21. März 2002
Anmelder: BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0223607
- Aktenzeichen
- EP01968903
- Anmeldetag
- 14. September 2001
- Veröffentlichung
- 21. März 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3063
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Board of Trustees of the University of Illinois
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