Herstellungsverfahren eines Gateoxids mit Zweifacher Dicke unter Verwendung von Plasma-Oberflächenbehandlung

WO0225728 Art A2 28. März 2002

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0225728
Aktenzeichen: EP01966263
Anmeldetag: 27. August 2001
Veröffentlichung: 28. März 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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