Resistverfahren und Resistmaterialien zur Verringerung von Resist-Entgasungs-Effekten für die Elektronenlithographie und die Uv-Lithographie

WO0231598 Art A2 18. April 2002

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0231598
Aktenzeichen: EP01981871
Anmeldetag: 12. Oktober 2001
Veröffentlichung: 18. April 2002
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/004G03F7/039

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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