Verfahren zur Strukturierung einer Siliziumoxid-Schicht

WO0237549 Art A2 10. Mai 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG, Applied Materials, Inc. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0237549
Aktenzeichen: EP01993019
Anmeldetag: 30. Oktober 2001
Veröffentlichung: 10. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Applied Materials, Inc.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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