Herstellungsverfahren für eine Integrierte Schaltung unter Zumindest Teilweisem Umwandeln einer Oxidschicht in eine Leitfähige Schicht

WO0237557 Art A2 10. Mai 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0237557
Aktenzeichen: EP01993022
Anmeldetag: 25. September 2001
Veröffentlichung: 10. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von