Verfahren zur Gleichzeitigen Herstellung eines Transistorpaares mit Isoliertem Gatter mit Jeweils einem Dünnen und Dicken Oxid, und Integrierter Schaltkreis

WO0237560 Art A1 10. Mai 2002

Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0237560
Aktenzeichen: EP01983638
Anmeldetag: 26. Oktober 2001
Veröffentlichung: 10. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L27/088H01L21/265H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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