Dual gate oxide process for uniform oxide thickness
WO0237561
Art A2
10. Mai 2002
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0237561
- Aktenzeichen
- EP01990700
- Anmeldetag
- 6. November 2001
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Fischer, Volker
München, Deutschland
242
Patente gesamt
29
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte