Dünnfilmtransistor-Halbleiterbauelement und Diesbezügliches Herstellungsverfahren

WO0237570 Art A2 10. Mai 2002

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0237570
Aktenzeichen: EP01989880
Anmeldetag: 1. November 2001
Veröffentlichung: 10. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/00

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Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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