Mos-Niedervolt-Vertikaltransistor

WO0241403 Art A2 23. Mai 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0241403
Aktenzeichen: EP01996887
Anmeldetag: 19. Oktober 2001
Veröffentlichung: 23. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L27/108H01L27/088

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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