Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf Gan-Basis und Verfahren zu dessen Herstellung
WO0241411
Art A1
23. Mai 2002
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO0241411
- Aktenzeichen
- EP01996892
- Anmeldetag
- 15. November 2001
- Veröffentlichung
- 23. Mai 2002
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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