Vorrichtung zum Stressen einer Integrierten Ferroelektrischen Halbleiterspeicherschaltung

WO0243074 Art A1 30. Mai 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0243074
Aktenzeichen: EP01997815
Anmeldetag: 12. November 2001
Veröffentlichung: 30. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von