Verfahren zum Herstellen eines Planaren Feldeffekttransistors und Planarer Feldeffekttransistor

WO0243109 Art A2 30. Mai 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0243109
Aktenzeichen: EP01997832
Anmeldetag: 21. November 2001
Veröffentlichung: 30. Mai 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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