Beschichtungsverfahren mit Atomaren Schichten (ald) zur Verbesserung der Oberflächenbedeckung

WO0243125 Art A2 30. Mai 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO0243125
Aktenzeichen
EP01991915
Anmeldetag
1. November 2001
Veröffentlichung
30. Mai 2002
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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