Verfahren zum Abscheiden von insbesondere Kristallinen Schichten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

WO0244445 Art A1 6. Juni 2002

Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0244445
Aktenzeichen: EP01998675
Anmeldetag: 27. Oktober 2001
Veröffentlichung: 6. Juni 2002
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/14C23C16/44

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: AIXTRON AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

303 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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