Pattern forming method for carbon nanotube, and field emission cold cathode and method of manufacturing the cold cathode

WO0245113 Art A1 6. Juni 2002

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0245113
Aktenzeichen: EP01998168
Anmeldetag: 26. November 2001
Veröffentlichung: 6. Juni 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01J9/02H01J1/304H01J31/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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