Method of manufacturing semiconductor device

WO0250891 Art A1 27. Juni 2002

Anmelder: Hitachi, Ltd., Hitachi Yonezawa Electronics Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO0250891
Aktenzeichen: EP00985816
Anmeldetag: 21. Dezember 2000
Veröffentlichung: 27. Juni 2002
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Hitachi, Ltd.
Hitachi Yonezawa Electronics Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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