Transistor mit Zweifachem Gate und dessen Herstellungsverfahren

WO03001604 Art A2 3. Januar 2003

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03001604
Aktenzeichen: EP02747346
Anmeldetag: 6. Juni 2002
Veröffentlichung: 3. Januar 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/49H01L29/786H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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