Nonvolatile semiconductor memory cell and semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory
WO03003473
Art A1
9. Januar 2003
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03003473
- Aktenzeichen
- EP01943853
- Anmeldetag
- 28. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/792H01L27/115H01L21/8247
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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