Verfahren zur Herstellung von Kontakten für Integrierte Schaltungen und Halbleiterbauelement mit Solchen Kontakten

WO03007355 Art A2 23. Januar 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03007355
Aktenzeichen: EP02743266
Anmeldetag: 5. Juli 2002
Veröffentlichung: 23. Januar 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von