Semiconductor device and its manufacturing method

WO03012863 Art A1 13. Februar 2003

Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi Hokkai Semiconductor, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO03012863
Aktenzeichen
EP02720491
Anmeldetag
18. April 2002
Veröffentlichung
13. Februar 2003
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/12
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Renesas Technology Corp.
Hitachi Hokkai Semiconductor, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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