Nonvolatile storage device and semiconductor integrated circuit

WO03021666 Art A1 13. März 2003

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03021666
Aktenzeichen: EP02743784
Anmeldetag: 3. Juli 2002
Veröffentlichung: 13. März 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L29/788H01L29/792H01L27/115G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von