Nitride semiconductor substrate, its manufacturing method, and semiconductor optical device using the same

WO03025263 Art A1 27. März 2003

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03025263
Aktenzeichen: EP02758887
Anmeldetag: 9. September 2002
Veröffentlichung: 27. März 2003
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/205H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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