Halbleiterstruktur, Speicheranordnung sowie Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur
WO03026015
Art A1
27. März 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03026015
- Aktenzeichen
- EP02781090
- Anmeldetag
- 16. September 2002
- Veröffentlichung
- 27. März 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247G11C16/04H01L27/118
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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