Verfahren zur Herstellung einer Strukturierten Metallschicht auf einem Trägerkörper und Trägerkörper mit einer Strukturierten Metallschicht

WO03028416 Art A1 3. April 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03028416
Aktenzeichen: EP02799388
Anmeldetag: 5. September 2002
Veröffentlichung: 3. April 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H05K3/04H05K3/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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