Non volatile memory cell structure using multilevel trapping dielectric
WO03030264
Art A1
10. April 2003
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03030264
- Aktenzeichen
- EP02800305
- Anmeldetag
- 30. April 2002
- Veröffentlichung
- 10. April 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/51H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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