Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques

WO03031679 Art A2 17. April 2003

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03031679
Aktenzeichen: EP02800996
Anmeldetag: 10. Oktober 2002
Veröffentlichung: 17. April 2003
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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