Verfahren zum Herstellen einer Integrierten Schaltung mit einer auf einem Dielektrikum Angeordneten Leitfaehigen Struktur

WO03032376 Art A1 17. April 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03032376
Aktenzeichen: EP02772240
Anmeldetag: 30. August 2002
Veröffentlichung: 17. April 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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