Im Lift-Off Process Hergestellte Harte Ätzmaske für Magnetische Speicherzellen in Mram Bauteilen

WO03033687 Art A2 24. April 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03033687
Aktenzeichen: EP02777309
Anmeldetag: 14. Oktober 2002
Veröffentlichung: 24. April 2003
Rechtsraum: WO
IPC: C12N5/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Pharma & Biotechnologie

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