A thin film transistor substrate of using insulating layers having low dielectric constant and a method of manufacturing the same

WO03036376 Art A1 1. Mai 2003

Anmelder: Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03036376
Aktenzeichen: EP01982914
Anmeldetag: 7. November 2001
Veröffentlichung: 1. Mai 2003
Rechtsraum: WO
IPC: G02F1/136

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.

Südkoreanischer Hersteller elektronischer Bauteile wie Kondensatoren, Kamerakomponenten und Leiterplatten, Teil der Samsung-Gruppe. Patente betreffen Elektronikkomponenten.

614 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von