Methods of hyperdoping semiconductor materials and hyperdoped semiconductor materials and devices
WO03036697
Art A2
1. Mai 2003
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03036697
- Aktenzeichen
- EP02792199
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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