Longitudinal misfet manufacturing method, longitudinal misfet, semiconductor storage device manufacturing method, and semiconductor storage device
WO03036714
Art A1
1. Mai 2003
Anmelder: Hitachi, Ltd., Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03036714
- Aktenzeichen
- EP02775309
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi, Ltd.
Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
14.673 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.