Halbleiterstruktur mit einem von dem Substrat Kapazitiv Entkoppelten Bauelement

WO03036723 Art A2 1. Mai 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03036723
Aktenzeichen: EP02801862
Anmeldetag: 30. August 2002
Veröffentlichung: 1. Mai 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L21/762H01L21/761H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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