Verfahren und Vorrichtung für Nitridspacer-Ätzprozess bei dem Bzw. bei der Endpunkt-Detektion mit Bzw. ohne Interferometrie Verwendet Wird

WO03038889 Art A2 8. Mai 2003

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03038889
Aktenzeichen: EP02789273
Anmeldetag: 23. Oktober 2002
Veröffentlichung: 8. Mai 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von