Laser beam treatment device and semiconductor device

WO03041143 Art A1 15. Mai 2003

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03041143
Aktenzeichen: EP02778075
Anmeldetag: 8. November 2002
Veröffentlichung: 15. Mai 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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