Etching method and plasma etcher
WO03043072
Art A1
22. Mai 2003
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03043072
- Aktenzeichen
- EP02781761
- Anmeldetag
- 13. November 2002
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
3.468 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.