Formation of high-mobility silicon-germanium structures by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition
WO03044839
Art A2
30. Mai 2003
Anmelder: ETH Zurich 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03044839
- Aktenzeichen
- EP02803347
- Anmeldetag
- 5. September 2002
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ETH Zurich
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
ETH Zürich
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich, Schweizer Hochschule mit Forschungsschwerpunkten in Natur-, Ingenieur- und Materialwissenschaften.
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Fachgebiete
Vertreten von
Heusch, Christian
Zug, Schweiz
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