Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle eines Speicherzellenfeldes in einem Halbleiterspeicher

WO03046920 Art A2 5. Juni 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03046920
Aktenzeichen: EP02792606
Anmeldetag: 21. November 2002
Veröffentlichung: 5. Juni 2003
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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