High temperature processing compatible metal gate electrode for pfets and method for fabrication

WO03046998 Art A1 5. Juni 2003

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03046998
Aktenzeichen: EP02804092
Anmeldetag: 27. November 2002
Veröffentlichung: 5. Juni 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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