Rom embedded dram with bias sensing
WO03050816
Art A1
19. Juni 2003
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03050816
- Aktenzeichen
- EP02787026
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/00G11C7/06G11C7/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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