Flash array implementation with local and global bit lines

WO03050818 Art A1 19. Juni 2003

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03050818
Aktenzeichen: EP02784788
Anmeldetag: 12. Dezember 2002
Veröffentlichung: 19. Juni 2003
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/40G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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