Mos semiconductor device
WO03050871
Art A1
19. Juni 2003
Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03050871
- Aktenzeichen
- EP02783801
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NEC Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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