Method for making crystalline semiconductor substrates

WO03052176 Art A2 26. Juni 2003

Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03052176
Aktenzeichen: EP02804927
Anmeldetag: 16. Dezember 2002
Veröffentlichung: 26. Juni 2003
Rechtsraum: WO
IPC: C30B19/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von