A method for manufacturing a thin film transistor using poly silicon

WO03052833 Art A1 26. Juni 2003

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03052833
Aktenzeichen: EP02711497
Anmeldetag: 29. Januar 2002
Veröffentlichung: 26. Juni 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Samsung Electronics Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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