Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden Kristalliner Schichten auf Kristallinen Substraten

WO03054256 Art A2 3. Juli 2003

Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03054256
Aktenzeichen: EP02805306
Anmeldetag: 6. Dezember 2002
Veröffentlichung: 3. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/02C30B25/14C23C16/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: AIXTRON AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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