Etching method and plasma etching device

WO03056617 Art A1 10. Juli 2003

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03056617
Aktenzeichen: EP02790854
Anmeldetag: 25. Dezember 2002
Veröffentlichung: 10. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.633 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von