Asymmetrische Halbleitervorrichtung mit einer Doppelten Gatter-Austrittsarbeit und Hestellungsverfahren

WO03058711 Art A1 17. Juli 2003

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03058711
Aktenzeichen: EP02797525
Anmeldetag: 23. Dezember 2002
Veröffentlichung: 17. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/84H01L27/092H01L27/12H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen